Intel 18A 流程節點
Intel Foundry 製程技術的最新進展，採用 RibbonFET 和業界首創的 PowerVia 背面功率輸送，使客戶能夠創造突破性的設計。
Intel 18A 現已準備就緒
Intel 18A 現已為客戶專案準備就緒，將於 2025 年上半年開始流片：聯繫我們獲取更多資訊。
Intel 18A 的差異化
- 相較於 Intel 3 製程節點，每瓦效能提升高達 15%，晶片密度提高達 30%。1
- 最早的亞 2nm 先進節點在北美製造，為客戶提供彈性供應替代方案。
- 業界首創的 PowerVia 背側供電技術，將密度和電池利用率提高了 5% 至 10%，並減少了阻性電力輸送下降，與前端電源設計相比，ISO 電源效能提升高達 4%，並大幅降低了固有電阻 （IR） 下降。2
- 帶狀場效應晶體管柵極全方位（GAA）晶體管技術，可實現電流的精確控制。RibbonFET允許晶片元件進一步小型化，同時減少漏電，這是日益密集的晶元的關鍵問題。
- HD MIM電容器，顯著降低感性功率下降，增強晶元作穩定性。這種能力對於生成式 AI 等現代工作負載至關重要，因為這類工作負載需要突然而密集的運算能力。
- 全面支援業界標準的EDA工具和參考流程，實現從其他技術節點的平穩過渡。有了EDA合作夥伴提供的參考流程，我們的客戶可以先於其他後端電源解決方案開始使用PowerVia進行設計。
- 由超過 35 個行業領先的生態系統合作夥伴組成的強大組合，涵蓋 EDA、IP、設計服務、雲服務以及航空航太和國防，有助於確保廣泛的客戶支援，以進一步簡化採用。
PowerVia
隨著晶體管密度的增加，混合的訊號和電源路由會造成擁塞，從而降低效能。Intel Foundry 業界首創的 PowerVia 技術將球場間距金屬與凸塊重新置放至晶粒背面，並在每個標準單元中嵌入納米級矽穿孔（nano-TSV），以實現高效的電力分配。
PowerVia 將標準單元利用率提高了 5-10%，將 ISO 電源性能提高了 4%。2
帶狀場效應管
RibbonFET允許嚴格控制晶體管通道中的電流，實現晶元元件的進一步小型化，同時減少漏電，隨著晶元變得越來越密集，這是一個關鍵問題。
RibbonFET 提高了每瓦性能、最小電壓 （Vmin）作和靜電，提供了顯著的性能優勢。RibbonFET 還通過不同的頻狀寬度和多種閾值電壓 （Vt） 類型提供高度可調諧性。
應用與使用案例
HPC 與 AI
對於需要最高水準的性能和高功率效率的應用，RibbonFET 卓越的通道控制可提供改進的晶體管每瓦性能，具有高驅動電流和規模縮放。
影像訊號處理、影片與視覺結合人工智慧
PowerVia可以對工業應用中的產品設計產生重大影響，在這些應用中，其減少的IR壓降、改進的信號路由和更好的前端電池利用率有助於顯著降低功率損耗。RibbonFET的面積減小可在更小的晶元中實現更多功能，有利於緊湊型醫療和工業感測器。
行動和基頻處理器
為滿足行動應用的獨特需求，Intel 提供了優化的 Intel 18A-P 製程節點。我們先進的製造技術有助於確保一致、可靠的性能，而微調的閾值電壓可提供卓越的電源效率。這有助於行動裝置電池續航力的整體改善。
航太與國防
新的航空航太與國防使用案例需要更高的運算能力，而且通常對尺寸、重量、功率和成本（SWaP-C）有嚴格的要求。Intel 18A 的低 IR 壓降提供了功率受限應用所需的效率，同時提供了增強的效能。
Intel Foundry 加速器生態系統聯盟
在關鍵領域享受 Intel Foundry Accelerator 生態系統合作夥伴在關鍵領域的全面支援，這些合作夥伴跨越 EDA、IP、設計服務、雲端服務與美國 MAG 聯盟。
Intel 18A 實際應用
Clearwater Forest伺服器處理器展示了 Intel 18A 結合 Intel Foundry 先進封裝技術的潛力。
讓我們攜手打造未來
Intel Foundry 入口網站
產品與效能資訊
基於截至 2024 年 2 月對 Intel 18A 與 Intel 3 進行比較的 Intel 內部分析。結果可能會有所差異。
這個頁面的內容綜合了英文原始內容的人工翻譯譯文與機器翻譯譯文。本內容是基於一般資訊目的，方便您參考而提供，不應視同完整或準確的內容。如果這個頁面的英文版與譯文之間發生任何牴觸，將受英文版規範及管轄。 查看這個頁面的英文版。