一流的製程創新

Intel 在 2024 年 Intel Foundry Direct Connect 展示擴充的製程技術藍圖，其中新增了以下內容：

• 將 Intel 14A 納入尖端的節點計畫，

• 針對 Intel 3、Intel 18A 和 Intel 14A 的多個專用節點發展，包括用於 3D 進階封裝設計、具有矽通孔的 Intel 3-PT，以及

• 成熟的製程節點，包括預計與 UMC 共同開發的新型 12 奈米節點。

準備好設計的客戶可以立即著手與 Intel Foundry聯繫合作。

Intel 18A：業界領先的創新技術

隆重推出 RibbonFET 與 PowerVia：

• Intel 18A 已準備好進行完整的產品設計，首批外部客戶定於 2025 年上半年進行生產。
• PowerVia 是 Intel 獨特的業界首創後側供電架構實作，可將標準單元使用率提高 5-10%，ISO 功率效能提升高達 4%。¹
• 相較於 FinFET，Intel 晶圓代工實作的環繞式閘極（GAA）電晶體 RibbonFET 有效改善了密度與效能。
• 最佳化的帶狀堆疊提供卓越的每瓦效能與最低的電源電壓（Vmin）。
• HD MIM 電容器可顯著降低感應功率下降，增強晶片的穩定運行，特別是對於生成型 AI 等現代工作負載更是如此。

進一步瞭解

Intel 3：Intel 無與倫比的 FinFET 節點

每瓦高效能，採用大量極紫外光（EUV）：

• Intel 4 的演變，晶片密度提升 1.08 倍，每瓦效能提升 18%。²
• 增加更密集的程式庫、改善的驅動電流與互連，同時受益於 Intel 4 學習成果，實現更快的良率提升。
• 非常適合一般運算應用。

12 奈米：與 UMC 合作，擴大客戶選項

透過創新合作夥伴關係擴大我們的產品組合：

• UMC 與 Intel Foundry 合作開發 12 奈米技術平台，結合 Intel 的 FinFET 專業知識與 UMC 的邏輯與混合模式/RF 體驗。
• 與業界 12 奈米相比更具競爭力。³
  
• 為客戶提供更豐富的採購決策選項，讓他們獲得更地域多元化且更具韌性的供應鏈。
• 非常適合行動通訊、無線連線和網路應用程式等高成長市場。

Intel 16：理想的 FinFET 的入門平台

具有平面靈活性的 FinFET 優勢：

• 具有更少光罩和更簡單的後端設計規則的 16 奈米級節點效能。

立即預覽：Intel 14A

第 2 代 PowerVia 結合 RibbonFET

• 業界首創的高數值孔徑（High NA）EUV。
• High NA 是以高成本效益的方式擴大規模的基礎。

Intel Foundry Accelerator 生態系統聯盟

享受 Intel Foundry Accelerator 生態系統合作夥伴在 EDA、IP、設計服務、雲端服務和 US MAG 聯盟等關鍵領域的全面支援。

進一步瞭解

業界領導者信任 Intel Foundry

客戶胸有成竹地選擇 Intel Foundry。全球兩大雲端服務供應商宣佈採用 Intel 18A 技術的產品，這是已公佈的九項英特爾 18A 獎的一部分。

我們宣佈計劃將 Intel Foundry 作為子公司，為客戶提供更完善的保障和更清晰的業務分離。

進階封裝與測試

Intel Foundry 透過強大、地域多元且富有彈性的供應鏈提供尖端的互連技術、2D、2.5D 和 3D 封裝領導地位，以及全面的組裝與測試服務。

進一步瞭解