雙直列記憶體模組 （DIMM） 人口規則要求，從藍色 DIMM 插槽或 DIMM 插槽到最遠的處理器，以 最遙遠 的方式，使用支援多個 DIMM 的通道。此外，當在同一通道中彈出具有單級或雙層 DIMM 的四階 DIMM 時，四階 DIMM 必須與處理器相隔最遠。如果未安裝相應的處理器插槽，則無法使用與特定處理器相關的記憶體插槽。
DIMM 人口需求如下所列：
- 針對每個通道的多個 DIMM：
- 對於註冊 DIMM （RDIMM）、負載降低 DIMM （LRDIMM）、3 維堆疊 （3DS） RDIMM 或 3DSLRDIMM，在第二個插槽的第一個插槽（藍色插槽）中，始終將 DIMM 載入更高的電力載入。
- 當通道 A 或 D 中僅使用一個 DIMM 時，則必須將其儲存在 BLUE DIMM 插槽中。
- 任何一個通道最多可使用 8 個邏輯等級，通道上最多可載入 10 個實體等級。
- 不支援在通道或插槽或跨插槽中混合雙重資料速率 Type 4 （DDR4） DIMM 類型 （RDIMM、LRDIMM、3DS-RDIMM、3DS-LRDIMM、NVDIMM）。這是記憶體初始化的嚴重錯誤。
- 處理器插槽內或跨端不支援混合不同頻率和延遲的 DIMM。如果遇到混合組態，BIOS 會嘗試以最高一般頻率和盡可能低的延遲運作。
- LRDIMM 等級乘法模式與直接地圖模式不得混合在處理器插槽內或跨處理器插槽中。這是記憶體初始化的嚴重錯誤。
- 若要在同一通道上安裝 3 個 QR LRDIMM，必須使用 RM = 2 的等級乘法操作。這樣一來，每一個 LRDIMM 都會顯示為 DR DIMM，其等級是前端的兩倍。
- 可靠性、可用性與服務性 （RAS） 模式可在本 BIOS 中相互排斥。只能選擇一個操作模式，並將其套用到整個系統。
- 如果已設定 RAS 模式，並且在開機期間記憶體數量無法支援，系統將返回獨立通道模式，並記錄和顯示錯誤。
- 只有當所有含有記憶體的通道都符合在每個人口稠密的通道上安裝至少 2 個 SR 或雙階 DIMM 或至少安裝一個 QR DIMM 的要求時，才能使用等級儲存模式。
- 鏡射模式需要任何含有記憶體的通道對，對兩個通道上的記憶體數量必須相同大小。如需配對命名的詳細資訊，請參閱 Intel Xeon® 處理器可擴充系列 BIOS EPS。
為了獲得最佳效能，應使用下列準則來填充 DIMM：
- 每個安裝的處理器應具有匹配的 DIMM 配置。
- 每個安裝的處理器應遵循下列 DIMM 人口準則
- 1 DIMM 至 3 DIMM 配置 – DIMM 應安裝到通道 A 至 C 的 DIMM 插槽 1 （藍色插槽）
- 4 DIMM 配置 – DIMM 應安裝至通道 A、B、D 和 E 的 DIMM 插槽 1 （藍色插槽）
- 5 DIMM 設定 – 不建議使用。這是一種不平衡的配置，其效能將低於最佳效能
- 6 DIMM 配置 – 所有通道的 DIMM Slot1 （藍色插槽） 應安裝 DIMM
- 7 DIMM 設定 ─ 不建議。這是一種不平衡的配置，其效能將低於最佳效能
- 8 DIMM 組態 – DIMM 已安裝到所有 DIMM 插槽中